NV-SRAM非易失储存解决方案 - 光感触摸芯片|光感压力按键|原厂提供触摸方案 - 三星单片机|昂宝电源IC|航顺单片机|复旦微单片机|代理商-深圳展亨隆电子有限公司

光感触摸芯片

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光感触摸芯片

光感触摸芯片
厂家：	品牌：	尺寸：NV-SRAM非易失储存解决方案
接口：mAh	工作电压：V	平均工作电流：原装
睡眠电流：CmA	天线：以下
应用范围：
技术支持：
规格书：

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目前，市场上比较常用的NVRAM有NVSRAM，FRAM，BBSRAM（Battery Backed SRAM）以及MRAM，其中NV-SRAM读写速度最高，可无限次读写，在性能方面明显优于其他三种NVRAM。

博维逻辑NV-SRAM非易失储存解决方案供应商先推出了用于工控，通讯，服务器，电源管理等工业物联网和嵌入式系统的NV-SRAM非易失性存储器解决方案。

该解决方案可以替代现有的FRAM，MRAM和BBSRAM的方案，其具有SRAM高速读写，可无限次擦写的优点，同时断电后，也可将数据长期保留；适合既需要高速或高频次反复存储数据，同时又需要在断电后能将数据保留的应用场景设备。也可用于快速配置系统，利于系统快速启动和快速恢复;性能远优于FRAM，MRAM和BBSRAM，可全面取代现有的FRAM，MRAM，BBSRAM等多种NVRAM，提供更好的性能，相对同类型NVSRAM的竞争者，在速度和功耗上均有较大优势，能更好的为工控，通讯，服务器，电源管理等多种重要应用提供数据保障！

NV-SRAM除了是最快的非易失性SRAM解决方案之外，NV-SRAM还已经证明了其可靠性超过20年。 NV-SRAM具有16兆位的密度，这在游戏应用中通常是必需的。

博维逻辑为国内独一档NV-SRAM芯片的设计和供应商；拥有20多项先进存储芯片专利和技术，其自有专利的MCRAM存储架构可将SRAM和其他多种NVM单元结合，可显著提升现有存储技术的存储带宽和读写速度，帮助消除“存储墙”
提供SPI，QSPI和Async三种不同接口多种存储容量的全系列NVSRAM产品；

博维逻辑NV-SRAM芯片已在国家电网等多个重要场合使用；
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